Autori: Conf. Univ. Dr. Nicolae Bejan, Conf. Univ. Dr. Pavel Nistiriuc, Lect. Asist. Univ. Alisa Masnic
Universitatea Tehnica a Moldovei
Editura: Chisinau U.T.M.
An aparitie: 2007
Elementul principal in majoritatea dispozitivelor semiconductoare il prezinta jonctiunea p-n, adica stratul de tranzitie la frontiera de separare a regiunilor cu conductibilitate electrica de tip-n si tip-p in unul si acelasi monocristal de semiconductor.
Diferenta de potential in jonctiune, ce este conditionata de prezenta gradientului concentratiei purtatorilor de sarcina, este numita bariera de potential de contact. Valorile tipice ale barierei de potential de contact sunt de ordinol zecimilor de volti.
Prezentul ghid de lucrari practice pentru disciplina „Dispozitive electronice” este destinat studentilor cu specialitatile: Telecomunicatii; Sisteme optoelectronice; Inginerie si management in telecomunicatii, formele de studiu de zi si cu frecventa redusa.
Structura ghidului:
- DIODE SEMICONDUCTOARE
1.1. Procese fizice in jonctiunea p-n
1.2. Influenta temperaturii asupra caracteristicii curent-tensiune
1.3. Strapungerea diodei
1.4. Capacitatea diodei
1.4.1. Capacitatea de bariera
1.4.2. Capacitatea de difuzie
1.5. Tipuri de diode semiconductoare
1.5.1. Diode redresoare
1.5.2. Diode de frecvente inalte si in comutatie
1.5.3. Diode Zener
1.5.4. Diode Varycap
1.6. Probleme rezolvate
1.7. Probleme propuse
