Buletin tehnic - Electronica Bucuresti Nr.3

Buletin tehnic – Electronica Bucuresti Nr.3 – Tranzistori Ge – Tranzistori Si

Timp de citit: 2 minute

Autor: Ing. Statnic Eugen
An aparitie: 1976

Ce prezinta cartea?

Acesta carte prezinta notiuni teoretice despre doua tipuri si familii de tranzistoare: cu germaniu si cu siliciu.

Intr-un buletin tehnic anterior, s-a tratat tehnologia tranzistoarelor, functionarea si analiza parametrilor principali care caracterizeaza tranzistoarele. Tot in acel buletin s-au analizat conditiile limita de functionare: tensiuni, curenti, temperatura jonctiunii si puterea disipata a tranzistoarelor. Un capitol special s-a rezervat tranzistoarelor de putere cu siliciu. Cunostintele din acel buletin sunt necesare pentru intelegerea acestui material.

Ca principale diferente pentru cele doua tipuri de tranzistoare avem:
  1. Tranzistoarele realizate din siliciu functioneaza corect pana spre 200 grade C, in timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate in functionare in jurul valorii de 100 grade C. La temperaturi mai mari decat cele mentionate, are loc cresterea extraordinar de rapida a concentratiei purtatorilor minoritari si semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzandu-si proprietatile initiale.
  2. Jonctiunea collector-baza, fiind polarizata invers, este caracterizata de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu si de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.
  3. Tranzistorii se realizeaza pe un substrat semiconductor (in general siliciu, mai rar germaniu). Tehnologia de realizare difera in functie de tipul tranzistorului folosit.

Structura cartii

CAP I – Tipuri si familii de tranzistoare cu germaniu

  • Tranzistoare aliate PNP de mica putere
  • Tranzistoare aliate NPN de mica putere
  • Tranzistoare aliate Ge PNP si NPN de medie putere
  • Perechi complementare PNP / NPN
  • Tranzistoare cu Ge PNP aliate, de putere
  • Tranzistoare drift pentru FI si RF

CAP II – Tipuri si familii de tranzistoare cu siliciu

  • Tranzistoare Si PNP si NPN de AF si comutatie de mica putere
  • Tranzistoare Si NPN si PNP de medie putere
  • Tranzistoare Si NPN pentru etaje finale video
  • Tranzistoare Si de inalta frecventa
  • Tranzistoare universale de RF si FI-MA-MF
  • Tranzistoare pentru frecventa intermediara video-sunet TV
  • Tranzistoare de FIF si UIF
  • Tranzistoare de putere AF si baleiaj

Adauga un comentariu

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *