Fabricarea tranzistoarelor bipolare
Tranzistoarele bipolare se fabrica pe baza siliciului, arsenurii de galiu si germaniului. Cea mai larga utilizare o are siliciul si germaniul.
La etapa actuala se utilizeaza urmatoarele metode de fabricare ale tranzistoarelor: metoda de aliere, metoda de difuzie, metoda planara, epitaxialplanara si mesa-planara.
Tranzistorul KT – 3102 este un tranzistor din siliciu (Si) de tip NPN. Acest tranzistor se fabrica prin metoda epitaxial – planara.
Structura cursului
- Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT 3102
- Procedee fizice in tranzistorul bipolar
- Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat in schema emitor comun, baza comuna si colector comun
- Analiza schemelor echivalente ale tranzistorului bipolar
- Parametrii H pentru tranzistorul bipolar
- Functionarea tranzistorului bipolar la frecvente inalte
- Functionarea tranzistorului bipolar in regim de comutatie (impuls)
- Modelul matematic al tranzistorului bipolar
- Parametrii de baza ai tranzistorului bipolar dat
- Utilizarea tranzistorului bipolar in circuite electronice (se analizeaza o schema de principiu a unui dispozitiv electronic care contine tranzistorul din clasa data)
- Proiectarea unui amplificator de audiofrecventa cu si fara transformator